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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Compara
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Puntuación global
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
40
En -14% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.6
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
8.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
35
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
15.6
Velocidad de escritura, GB/s
8.9
12.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1789
3060
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
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