RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
13.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
51
Wokół strony -28% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
40
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
13.5
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
9.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2254
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link