RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Средняя оценка
star star star star star
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB

Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    15.6 left arrow 13.5
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    11.8 left arrow 9.5
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    25600 left arrow 21300
    Около 1.2% выше полоса пропускания
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB Причины выбрать
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    40 left arrow 51
    Около -28% меньшая задержка

Спецификации

Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR4 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    51 left arrow 40
  • Скорость чтения, Гб/сек
    15.6 left arrow 13.5
  • Скорость записи, Гб/сек
    11.8 left arrow 9.5
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    25600 left arrow 21300
Other
  • Описание
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Тайминги / частота
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2687 left arrow 2254

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB Сравнения RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
модули RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
модули RAM
Kingston KHX1600C10D3/8G 8GB
Kingston KHX1600C10D3/8G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
модули RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
модули RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
модули RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
модули RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
модули RAM
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
модули RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
модули RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
модули RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
модули RAM
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 99P5474-013.A00LF 4GB
Kingston 99P5474-013.A00LF 4GB
модули RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
модули RAM
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
модули RAM