RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Сравнить
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB против Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
-->
Средняя оценка
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Средняя оценка
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
34
Около 3% меньшая задержка
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
22.6
17.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.4
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
34
Скорость чтения, Гб/сек
17.8
22.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
16.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3285
3597
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link