RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Сравнить
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB против Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.2
11.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.4
7.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
42
Около -40% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
30
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
11.2
Скорость записи, Гб/сек
9.4
7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2326
2266
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Сравнения RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link