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Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Compara
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Puntuación global
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.2
11.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.4
7.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
42
En -40% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
30
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
11.2
Velocidad de escritura, GB/s
9.4
7.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2326
2266
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
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