RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Сравнить
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB против G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
17
52
Около -206% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.9
9.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.0
7.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
14900
Около 1.14 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
52
17
Скорость чтения, Гб/сек
9.7
20.9
Скорость записи, Гб/сек
7.2
16.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
14900
17000
Other
Описание
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2173
3550
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB Сравнения RAM
Team Group Inc. Dark-1866 4GB
Mushkin 994104 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Inmos + 256MB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link