RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB против Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
91
Около 69% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.4
6.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.6
4.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
91
Скорость чтения, Гб/сек
12.4
6.1
Скорость записи, Гб/сек
9.6
4.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2329
1214
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link