RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Сравнить
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB против Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
6
17.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
44
Около -22% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.0
1,892.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
36
Скорость чтения, Гб/сек
6,181.5
17.1
Скорость записи, Гб/сек
1,892.9
11.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
851
3009
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB Сравнения RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Inmos + 256MB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link