RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
51
Wokół strony -59% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
22.6
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.4
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
32
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
22.6
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
16.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 3
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
3837
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB Porównanie pamięci RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
King Tiger Technology Tigo-2133Mhz-8G 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link