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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Confronto
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Punteggio complessivo
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
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Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
21300
Intorno 1.2% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
51
Intorno -59% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
22.6
15.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.4
11.8
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
51
32
Velocità di lettura, GB/s
15.6
22.6
Velocità di scrittura, GB/s
11.8
16.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
21300
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 3
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2687
3837
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB Confronto tra le RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT204864BF160B.C16 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
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