Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT204864BF160B.C16 16GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology CT204864BF160B.C16 16GB

Punteggio complessivo
star star star star star
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Punteggio complessivo
star star star star star
Crucial Technology CT204864BF160B.C16 16GB

Crucial Technology CT204864BF160B.C16 16GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    28 left arrow 35
    Intorno 20% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    12.7 left arrow 9.8
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    7.5 left arrow 7.2
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    12800 left arrow 8500
    Intorno 1.51 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT204864BF160B.C16 16GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latenza in PassMark, ns
    28 left arrow 35
  • Velocità di lettura, GB/s
    12.7 left arrow 9.8
  • Velocità di scrittura, GB/s
    7.5 left arrow 7.2
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    8500 left arrow 12800
Other
  • Descrizione
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    1988 left arrow 1811
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Ultimi confronti