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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT204864BF160B.C16 16GB
Comparez
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology CT204864BF160B.C16 16GB
Note globale
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Note globale
Crucial Technology CT204864BF160B.C16 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
35
Autour de 20% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.7
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.5
7.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT204864BF160B.C16 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
12800
8500
Autour de 1.51 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT204864BF160B.C16 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR3
Latence dans PassMark, ns
28
35
Vitesse de lecture, GB/s
12.7
9.8
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
7.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
12800
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1988
1811
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaison des RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Crucial Technology CT204864BF160B.C16 16GB Comparaison des RAM
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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