Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT204864BF160B.C16 16GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против Crucial Technology CT204864BF160B.C16 16GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Средняя оценка
star star star star star
Crucial Technology CT204864BF160B.C16 16GB

Crucial Technology CT204864BF160B.C16 16GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    28 left arrow 35
    Около 20% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    12.7 left arrow 9.8
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    7.5 left arrow 7.2
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    12800 left arrow 8500
    Около 1.51 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT204864BF160B.C16 16GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR3
  • Задержка в PassMark, нс
    28 left arrow 35
  • Скорость чтения, Гб/сек
    12.7 left arrow 9.8
  • Скорость записи, Гб/сек
    7.5 left arrow 7.2
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    8500 left arrow 12800
Other
  • Описание
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    1988 left arrow 1811
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения