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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT204864BF160B.C16 16GB
Comparar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology CT204864BF160B.C16 16GB
Pontuação geral
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT204864BF160B.C16 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
35
Por volta de 20% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.7
9.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.5
7.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT204864BF160B.C16 16GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
12800
8500
Por volta de 1.51 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT204864BF160B.C16 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR3
Latência em PassMark, ns
28
35
Velocidade de leitura, GB/s
12.7
9.8
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
7.2
Largura de banda de memória, mbps
8500
12800
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1988
1811
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Crucial Technology CT204864BF160B.C16 16GB Comparações de RAM
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
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