RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
51
Wokół strony -96% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
23.1
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
19.0
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
26
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
23.1
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
19.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 3
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
4276
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 99U5584-018.A00LF 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link