RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
51
Около -96% меньшая задержка
Выше скорость чтения
23.1
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
19.0
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
26
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
23.1
Скорость записи, Гб/сек
11.8
19.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 3
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
4276
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
INTENSO 5641160 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link