RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
14.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
51
Wokół strony -31% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
39
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
14.6
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
10.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2513
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB Porównanie pamięci RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link