RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
84
Wokół strony 45% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
12.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.0
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
3200
Wokół strony 6.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
84
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
12.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
7.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
21300
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
1486
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link