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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Maxsun MSD416G26Q3 16GB

総合得点
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

総合得点
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Maxsun MSD416G26Q3 16GB

Maxsun MSD416G26Q3 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB 考慮すべき理由
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    46 left arrow 84
    周辺 45% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    2 left arrow 12.5
    テスト平均値
Maxsun MSD416G26Q3 16GB 考慮すべき理由
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
バグを報告する
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    7.0 left arrow 1,519.2
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 3200
    周辺 6.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    46 left arrow 84
  • 読み出し速度、GB/s
    2,909.8 left arrow 12.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,519.2 left arrow 7.0
  • メモリ帯域幅、mbps
    3200 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    3-3-3-12 / 400 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    241 left arrow 1486

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G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
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メモリRAM
AMD AE34G1601U1 4GB
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INTENSO 5641152 4GB
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メモリRAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
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メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
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G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
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メモリRAM
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
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Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
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メモリRAM
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
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メモリRAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
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メモリRAM
AMD AE34G1601U1 4GB
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Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
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メモリRAM
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
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Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
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