RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Maxsun MSD416G26Q3 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
46
84
Около 45% меньшая задержка
Выше скорость чтения
2
12.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
7.0
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
3200
Около 6.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
84
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
12.5
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
7.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
21300
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
1486
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5428-042.A00G 4GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link