RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
14.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
8.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
51
Wokół strony -104% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
25
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
8.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2542
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link