RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
51
62
Wokół strony 18% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
9.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
15.6
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
62
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
9.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
1772
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link