RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Porównaj
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
62
Wokół strony 56% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
16.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
9.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
62
Prędkość odczytu, GB/s
16.7
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
9.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
19200
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2756
1772
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link