RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
42
Wokół strony -31% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.4
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.3
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
32
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
16.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2150
3726
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston HP24D4R7D4MAM-32 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905678-042.A00G 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link