RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Kingston 9905624-043.A00G 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
51
Wokół strony -132% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
22
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
3077
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905624-043.A00G 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
Kingston 99U5458-005.A01LF 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1600D364L11S/4G 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link