RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Kingston 9905630-066.A00G 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
51
Wokół strony -65% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
31
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
3152
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link