RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905702-012.A00G 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Kingston 9905702-012.A00G 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Kingston 9905702-012.A00G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
9.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
6.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Kingston 9905702-012.A00G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
51
Wokół strony -55% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905702-012.A00G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
33
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
9.6
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
6.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
1620
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905702-012.A00G 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link