RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Porównaj
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB vs Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
38
Wokół strony 5% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.1
13.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
9.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
38
Prędkość odczytu, GB/s
15.1
13.8
Prędkość zapisu, GB/s
11.5
9.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
19200
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2814
2404
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link