RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Porównaj
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
6
17
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,935.8
12.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
45
Wokół strony -96% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
23
Prędkość odczytu, GB/s
6,336.8
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,935.8
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1144
2938
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Kingston 9905403-003.B00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905702-012.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link