RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Comparar
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Pontuação geral
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
6
17
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,935.8
12.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
45
Por volta de -96% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
45
23
Velocidade de leitura, GB/s
6,336.8
17.0
Velocidade de escrita, GB/s
2,935.8
12.9
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1144
2938
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Comparações de RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB Comparações de RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link