RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Confronto
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Punteggio complessivo
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
6
17
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,935.8
12.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
45
Intorno -96% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
23
Velocità di lettura, GB/s
6,336.8
17.0
Velocità di scrittura, GB/s
2,935.8
12.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1144
2938
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Confronto tra le RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB Confronto tra le RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Kingston KHX1600C10D3/8GXF 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link