RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
11.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
51
Wokół strony -65% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
31
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
3024
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link