RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
Comparar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Pontuação geral
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.8
11.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Por volta de 1.33% maior largura de banda
Razões a considerar
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
51
Por volta de -65% menor latência
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
31
Velocidade de leitura, GB/s
15.6
15.6
Velocidade de escrita, GB/s
11.8
11.2
Largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2687
3024
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link