RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
11.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
47
51
Wokół strony -9% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
47
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
11.2
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
8.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2362
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link