RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
11.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
47
51
Wokół strony -9% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
47
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
11.2
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
8.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2362
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD-4G68H1P-16K-BK 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link