RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
11.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
47
51
Около -9% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
47
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
11.2
Скорость записи, Гб/сек
11.8
8.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
2362
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link