RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
51
60
Wokół strony 15% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
6.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
4.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
60
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
6.4
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
4.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
1400
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link