RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Porównaj
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
42
Wokół strony -40% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.8
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.4
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
30
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
18.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
15.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
3649
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Inmos + 256MB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link