RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
8.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
6.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
51
Wokół strony -31% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
39
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
8.7
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
6.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
1842
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link