RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
51
Wokół strony -55% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
33
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2973
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link