RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
51
Wokół strony -76% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
29
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
13.4
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
9.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2312
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kllisre 0000 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link