RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
11.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
51
Wokół strony -96% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
15.6
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
26
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2806
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link