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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
比较
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
总分
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
总分
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
11.8
11.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
19200
左右 1.33% 更高的带宽
需要考虑的原因
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
51
左右 -96% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
15.6
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
26
读取速度,GB/s
15.6
17.4
写入速度,GB/s
11.8
11.7
内存带宽,mbps
25600
19200
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2687
2806
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
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