RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
51
Wokół strony -104% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.9
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.1
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
25
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2781
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link