RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Porównaj
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
18.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,381.6
17.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
60
Wokół strony -131% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
26
Prędkość odczytu, GB/s
5,082.2
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,381.6
17.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
925
3885
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Kingston 9905428-401.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link