RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
51
Wokół strony -113% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
24
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2865
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link