RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
51
Wokół strony -82% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.3
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.2
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
28
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
3366
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link