RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
51
Около -82% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.3
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.2
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
28
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
17.3
Скорость записи, Гб/сек
11.8
14.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
3366
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link