RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
13.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
9.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
51
Wokół strony -31% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
39
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
13.7
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
9.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2397
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link