RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
51
Wokół strony -113% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.6
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.9
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
24
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
20.6
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
16.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
3870
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link